Bài tập trạng thái mạch kỹ thuật điện tử năm 2024
- 1. VĂN TÁM
- 2. Diode CHƯƠNG I MẠCH DIODE Trong chương này, chúng ta khảo sát một số mạch ứng dụng căn bản của diode bán dẫn [giới hạn ở diode chỉnh lưu và diode zener - Các diode đặc biệt khác sẽ được bàn đến lúc cần thiết]. Tùy theo nhu cầu ứng dụng, các mô hình lý tưởng, gần đúng hay thực sẽ được đưa vào trong công việc tính toán mạch. 1.1 ÐƯỜNG THẲNG LẤY ÐIỆN [LOAD LINE]: Xem mạch hình 1.1a Nguồn điện một chiều E mắc trong mạch làm cho diode phân cực thuận. Gọi ID là dòng điện thuận chạy qua diode và VD là hiệu thế 2 đầu diode, ta có: Trong đó: I0 là dòng điện rỉ nghịch η=1 khi ID lớn [vài mA trở lên] η=1 Khi ID nhỏ và diode cấu tạo bằng Ge η=2 Khi ID nhỏ và diode cấu tạo bằng Si Ngoài ra, từ mạch điện ta còn có: E - VD - VR = 0 Tức E = VD + RID [1.2] Trương Văn Tám I-1 Mạch Điện Tử
- 3. Diode Phương trình này xác định điểm làm việc của diode tức điểm điều hành Q, được gọi là phương trình đường thẳng lấy điện. Giao điểm của đường thẳng này với đặc tuyến của diode ID = f[VD] là điểm điều hành Q. 1.2. DIODE TRONG MẠCH ÐIỆN MỘT CHIỀU - Ngược lại khi E < VK, mạch được xem như hở, nên: ID = IR = 0mA ; VR = R.IR = 0V ; VD = E - VR = E 1.3. DIODE TRONG MẠCH ÐIỆN XOAY CHIỀU - MẠCH CHỈNH LƯU Mạch chỉnh lưu là ứng dụng thông dụng và quan trọng nhất của diode bán dẫn, có mục đích đổi từ điện xoay chiều [mà thường là dạng Sin hoặc vuông] thành điện một chiều. 1.3.1. Khái niệm về trị trung bình và trị hiệu dụng 1.3.1.1. Trị trung bình: Hay còn gọi là trị một chiều Trị trung bình của một sóng tuần hoàn được định nghĩa bằng tổng đại số trong một chu kỳ của diện tích nằm trên trục 0 [dương] và diện tích nằm dưới trục 0 [âm] chia cho chu kỳ. Một cách tổng quát, tổng đại số diện tích trong một chu kỳ T của một sóng tuần hoàn v[t] được tính bằng công thức: Một vài ví dụ: Trương Văn Tám I-2 Mạch Điện Tử
- 4. Diode Dạng sóng Trị trung bình 1.3.1.2. Trị hiệu dụng: hiệu dụng của một sóng tuần hoàn[ thí dụ dòng điện] là trị số tương Người ta định nghĩa trị đương của dòng điện một chiều IDC mà khi chạy qua một điện trở R trong một chu kì sẽ có năng lượng tỏa nhiệt bằng nhau. Trương Văn Tám I-3 Mạch Điện Tử
- 5. Diode Vài thí dụ: Dạng sóng Trị trung bình và hiệu dụng Trương Văn Tám I-4 Mạch Điện Tử
- 6. Diode Hình 1.6 Trương Văn Tám I-5 Mạch Điện Tử
- 7. Diode 1.3.2. Mạch chỉnh lưu nửa sóng [một bán kỳ] Trong mạch này ta dùng kiểu mẫu lý tưởng hoặc gần đúng của diode trong việc phân tích mạch. Dạng mạch căn bản cùng các dạng sóng [thí dụ hình sin] ở ngõ vào và ngõ ra như hình 1.7 Diode chỉ dẫn điện khi bán kỳ dương của vi[t] đưa vào mạch Ta có: - Biên độ đỉnh của vo[t] Vdcm = Vm - 0.7V [1.6] - Ðiện thế trung bình ngõ ra: - Ðiện thế đỉnh phân cực nghịch của diode là: VRM=Vm [1.8] Ta cũng có thể chỉnh lưu lấy bán kỳ âm bằng cách đổi đầu diode. Trương Văn Tám I-6 Mạch Điện Tử
- 8. Diode 1.3.3. Chỉnh lưu toàn sóng với biến thế có điểm giữa Mạch cơ bản như hình 1.8a; Dạng sóng ở 2 cuộn thứ cấp như hình 1.8b - Ở bán kỳ dương, diode D1 phân cực thuận và dẫn điện trong lúc diode D2 phân cực nghịch nên xem như hở mạch [hình 1.9] - Ở bán kỳ âm, diode D2 phân cực thuận và dẫn điện trong lúc diode D1 phân cực nghịch nên xem như hở mạch [Hình 1.10] Ðể ý là trong 2 trường hợp, IL đều chạy qua RL theo chiều từ trên xuống và dòng điện đều có mặt ở hai bán kỳ. Ðiện thế đỉnh ở 2 đầu RL là: Vdcm=Vm-0,7V [1.9] Và điện thế đỉnh phân cực nghịch ở mỗi diode khi ngưng dẫn là: VRM=Vdcm+Vm=2Vm-0,7V [1.10] - Dạng sóng thường trực ở 2 đầu RL được diễn tả ở hình 1.11 Trương Văn Tám I-7 Mạch Điện Tử
- 9. Diode Người ta cũng có thể chỉnh lưu để tạo ra điện thế âm ở 2 đầu RL bằng cách đổi cực của 2 diode lại. 1.3.4. Chỉnh lưu toàn sóng dùng cầu diode Mạch cơ bản - Ở bán kỳ dương của nguồn điện, D2 và D4 phân cực thuận và dẫn điện trong lúc D1 và D2 phân cực nghịch xem như hở mạch. Dùng kiểu mẫu điện thế ngưỡng, mạch điện được vẽ lại như hình 1.13 Trương Văn Tám I-8 Mạch Điện Tử
- 10. Diode - Ở bán kỳ âm của nguồn điện, D1 và D3 phân cực thuận và dẫn điện trong lúc D2, D4 phân cực nghịch xem như hở mạch [Hình 1.14] Từ các mạch tương đương trên ta thấy: - Ðiện thế đỉnh Vdcm ngang qua hai đầu RL là: Vdcm =Vm-2VD=Vm-1.4V [1.12] - Ðiện thế đỉnh phân cực nghịch VRM ở mỗi diode là: VRM=Vdcm+VD=Vm-VD VRM =Vm-0,7V [1.13] Ðể ý là dòng điện trung bình chạy qua mỗi cặp diode khi dẫn điện chỉ bằng 1/2 dòng điện trung bình qua tải. Trương Văn Tám I-9 Mạch Điện Tử
- 11. Diode 1.3.5. Chỉnh lưu với tụ lọc Ta xem lại mạch chỉnh lưu toàn sóng với biến thế có điểm giữa. Như kết qủa phần trên: - Ðiện thế đỉnh ở 2 đầu RL là: Vdcm=Vm-0,7V - Ðiện thế trung bình ở 2 đầu RL là: VDC=0,637Vdcm Nếu ta thay RL bằng 1 tụ điện có điện dung C. Trong thời điểm từ t=0 đến t=T/4, tụ C sẽ nạp nhanh đến điện thế đỉnh Vdcm. Nếu dòng rỉ của tụ điện không đáng kể, tụ C sẽ không phóng điện và điện thế 2 đầu tụ được giữ không đổi là Vdcm. Ðây là trường hợp lý tưởng. Thực tế, điện thế trung bình thay đổi từ 0,637Vdcm đến Vdcm. Thực ra nguồn điện phải cung cấp cho tải, thí dụ RL mắc song song với tụ C. Ở bán ký dương tụ C nạp điện đến trị Vdcm. Khi nguồn điện bắt đầu giảm, tụ C phóng điện qua RL cho đến khi gặp bán kỳ kế tiếp tụ C mới nạp điện lại đến Vdcm và chu kỳ này cứ lặp đi lặp lại. Hình 1.16 mô tả chi tiết dạng sóng ở 2 đầu tụ C [tức RL]. Hiệu thế sóng dư đỉnh đối đỉnh được ký hiệu là Vr[p-p]. Do điện thế đỉnh tối đa là Vdcm nên điện thế trung bình tối thiểu là Vdcmin=Vdcm-Vr[p-p] Trương Văn Tám I-10 Mạch Điện Tử
- 12. Diode * Hệ số sóng dư: [ripple factor] Ta xem lại dạng sóng ở 2 đầu RL. Bằng nguyên lý chồng chất, ta có thể xem như điện thế 2 đầu tải bằng tổng của thành phần một chiều VDC với thành phần sóng dư xoay chiều có tần số gấp đôi tần số của nguồn điện chỉnh lưu. Vì thời gian nạp điện thường rất nhỏ so với thời gian phóng điện nên dạng của thành phần sóng dư có thể xem gần đúng như dạng tam giác Trương Văn Tám I-11 Mạch Điện Tử
- 13. Diode Hệ số sóng dư quyết định chất lượng của mạch chỉnh lưu. * Phương trình điện thế sóng dư Nếu gọi ic là dòng phóng điện của tụ điện có điện dung C và VC là điện thế 2 đầu tụ điện thì: Nếu sự thay đổi điện thế 2 đầu tụ là tuyến tính thì dòng điện ic là dòng điện một chiều. Nếu coi sóng dư có dạng tam giác thì dòng phóng của tụ là hằng số và ký hiệu là IDC. Ðó chính là dòng điện qua tải Với f là tần số của nguồn điện chỉnh lưu. Nếu gọi fr là tần số sóng dư, ta có Như vậy sóng dư tỉ lệ thuận với dòng điện trung bình qua tải và tỉ lệ nghịch với điện dung C. Sóng dư sẽ tăng gấp đôi khi chỉnh lưu nửa sóng vì lúc đó f=fr 1.4. MẠCH CẮT [Clippers] Mạch này dùng để cắt một phần tín hiệu xoay chiều. Mạch chỉnh lưu nửa sóng là một thí dụ đơn giản về mạch cắt. Trương Văn Tám I-12 Mạch Điện Tử
- 14. Diode 1.4.1. Mạch cắt nối tiếp Dạng căn bản như hình 1.20. Hình 1.21 cho thấy đáp ứng của mạch cắt căn bản đối với các dạng sóng thông dụng khi coi diode là lý tưởng. Bây giờ nếu ta mắc thêm một nguồn điện thế một chiều V nối tiếp với diode như hình 1.22b. Nếu tín hiệu vào vi[t] có dạng hình sin với điện thế đỉnh là Vm thì ngõ ra sẽ có dạng như hình vẽ 1.22c với điện thế đỉnh Vm-V tức V0=Vi-V [coi diode lý tưởng] 1.4.2. Mạch cắt song song * Mạch căn bản có dạng Trương Văn Tám I-13 Mạch Điện Tử
- 15. Diode Hình 1.24 là đáp ứng của mạch cắt song song căn bản với các dạng sóng thông dụng [diode lý tưởng] * Mạch có phân cực Ta cũng có thể mắc thêm một nguồn điện thế 1 chiều V nối tiếp với diode. Dạng sóng ngõ ra sẽ tùy thuộc vào cực tính của nguồn điện một chiều và diode. Thí dụ: ta xác định v0 của mạch điện hình 1.25 khi vi có dạng tam giác và diode xem như lý tưởng - Khi diode dẫn điện: v0=V=4V - Khi vi=V=4V, Diode đổi trạng thái từ ngưng dẫn sang dẫn điện hoặc ngược lại - Khi viV=4V, di Hình ode ngưng dẫn ⇒ Vo= vi 1.26 là dạng và biên độ của ngõ ra v0 Trương Văn Tám I-14 Mạch Điện Tử
- 16. Diode 1.5. MẠCH GHIM ÁP [Mạch kẹp - clampers] ệu. Mạch phải có một tụ điện, một diode ù đến trị số V và v0=0V nên C xả điện khôn Ðây là mạch đổi mức DC [một chiều] của tín hi và một điện trở. Nhưng mạch cũng có thể có một nguồn điện thế độc lập. Trị số của điện trở R và tụ điện C phải được lựa chọn sao cho thời hằng τ=RC đủ lớn để hiệu thế 2 đầu tụ giảm không đáng kể khi tụ phóng điện [trong suốt thời gian diode không dẫn điện]. Mạch ghim áp căn bản như hình 1.27 D ng kiểu mẫu diode lý tưởng ta thấy: - Khi t: 0 → T/2 diode dẫn điện,tụ C nạp nhanh - Khi t: T/2 → T, diode ngưng, tụ phóng điện qua R. Do τ=RC lớn g đáng kể, [thường người ta chọn T≤10τ]. Lúc này ta có: v0=-2V Ðiểm cần chú ý là trong mạch ghim áp biên độ đỉnh đối đỉnh của vi và vo luôn bằng nhau. inh viên thử xác định v0 của mạch điện hình 1.29S Trương Văn Tám I-15 Mạch Điện Tử
- 17. Diode 1.6. MẠCH DÙNG DIODE ZENER: Cũng tương tự như diode chỉnh lưu, với diode zener ta cũng dùng kiểu mẫu gần đúng trong việc phân giải mạch: Khi dẫn điện diode zener tương đương với một nguồn điện thế một chiều vz [điện thế zener] và khi ngưng nó tương đương với một mạch hở. 1.6.1. Diode zener với điện thế ngõ vào vi và tải RL cố định Mạch căn bản dùng diode zener có dạng như hình 1.30 Khi vi và RL cố định, sự phân tích mạch có thể theo 2 bước: - Xác định trạng thái của diode zener bằng cách tháo rời diode zener ra khỏi mạch và tính hiệu thế V ở hai đầu của mạch hở Trương Văn Tám I-16 Mạch Điện Tử
- 18. Diode Công suất tiêu tán bởi diode zener được xác định bởi Pz=Vz.Iz [1.23] Công suất này phải nhỏ hơn công suất tối đa PZM=VZIZM của diode zener [IZM: dòng điện tối đa qua zener mà không làm hỏng] Diode zener thường được dùng trong các mạch điều hòa điện thế để tạo điện thế chuẩn. Mạch hình 1.30 là 1 mạch điều hòa điện thế đơn giản để tạo ra điện thế không đổi ở 2 đầu RL. Khi dùng tạo điện thế chuẩn, điện thế zener như là một mức chuẩn để so sánh với một mức điện thế khác. Ngoài ra diode zener còn được sử dụng rộng rãi trong các mạch điều khiển, bảo vệ... 1.6.2. Nguồn Vi cố định và RL thay đổi Khi Vi cố định, trạng thái ngưng hoặc dẫn của diode zener tùy thuộc vào điện trở tải RL Do R cố định, khi Diode zener dẫn điện, điện thế VR ngang qua điện trở R sẽ cố định: VR=Vi - Vz Do đó dòng IR cũng cố định: Dòng IZ sẽ nhỏ nhất khi IL lớn nhất. Dòng IZ được giới hạn bởi IZM do nhà sản xuất cho biết, do đó dòng điện nhỏ nhất qua RL là ILmin phải thỏa mãn: Trương Văn Tám I-17 Mạch Điện Tử
- 19. Diode Cuối cùng khi Vi cố định, RL phải được chọn trong khoảng RLmin và RLmax 1.6.3. Tải RL cố định, điện thế ngõ vào Vi thay đổi Xem lại hình 1.30 Nếu ta giữ RL cố định, vi phải đủ lớn thì zener mới dẫn điện. Trị số tối thiểu của Vi để zener có thể dẫn điện được xác định bởi: 1.7. MẠCH CHỈNH LƯU BỘI ÁP 1.7.1. Chỉnh lưu tăng đôi điện thế Hình 1.31 mô tả một mạch chỉnh lưu tăng đôi điện thế một bán kỳ - Ở bán kỳ dương của nguồn điện, D1 dẫn ,D2 ngưng. Tụ C1 nạp điện đến điện thế đỉnh Vm - Ở bán kỳ âm D1 ngưng và D2 dẫn điện. Tụ C2 nạp điện đến điện thế C2=Vm+VC1=2Vm - Bán kỳ dương kế tiếp, D2 ngưng, C2 phóng điện qua tải và đến bán kỳ âm kế tiếp C2 lại nạp điện 2Vm. Vì thế mạch này gọi là mạch chỉnh lưu tăng đôi điện thế một bán kỳ. Ðiện thế đỉnh nghịch ở 2 đầu diode là 2Vm. - Ta cũng có thể dùng mạch ghim áp để giải thích hoạt động của mạch chỉnh lưu tăng đôi điện thế. Trương Văn Tám I-18 Mạch Điện Tử
- 20. Diode - Ta cũng có thể mắc mạch chỉnh lưu tăng đôi điện thế theo chiều dương - Ở bán kỳ dương của nguồn điện D1 dẫn, C1 nạp điện VC1=Vm trong lúc D2 ngưng. - Ở bán kỳ âm D2 dẫn, C2 nạp điện VC2=Vm trong lúc D1 ngưng. - Ðiện thế ngõ ra V0=VC1+VC2=2Vm 1.7.2. Mạch chỉnh lưu tăng ba, tăng bốn Trương Văn Tám I-19 Mạch Điện Tử
- 21. Diode Ðầu tiên C1 nạp điện đến VC1=Vm khi D1 dẫn điện ở bán kỳ dương. Bán kỳ âm D2 dẫn điện, C2 nạp điện đến VC2=2Vm [tổng điện thế đỉnh của cuộn thứ cấp và tụ C1]. Bán kỳ dương kế tiếp D2 dẫn, C3 nạp điện đến VC3=2Vm [D1 và D2 dẫn, D2 ngưng nên điện thế 2Vm của C2 nạp vào C3]. Bán kỳ âm kế tiếp D2, D4 dẫn, điện thế 2Vm của C3 nạp vào C4 ... Ðiện thế 2 đầu C2 là 2Vm 2 đầu C1+C= là 3Vm 2 đầu C2+C4 là 4Vm BÀI TẬP CUỐI CHƯƠNG 1 ****** Dùng kiểu mẫu điện thế ngưỡng để giải các bài tập từ 1 đến 8 Bài 1: Xác định VD, VR và ID trong mạch điện hình 1.36 Bài 2: Xác định VD2 và ID trong mạch điện hình 1.37 Bài 3: Xác định V0, và ID trong mạch điện hình 1.38 Bài 4: Xác định I, V1, V2 và V0 trong mạch hình 1.39 Bài 5: Xác định V0, V1, ID1 và ID2 trong mạch hình 1.40 Trương Văn Tám I-20 Mạch Điện Tử
- 22. Diode Bài 6: Xác định V0 trong mạch hình 1.41 Bài 7: Xác định I1, I2, ID2 trong mạch hình 1.42 Bài 8: Xác định dòng điện I trong mạch hình 1.43 Bài 9: Dùng kiểu mẫu diode lý tưởng, xác định V0 trong 2 mạch hình 1.44a và 1.44b Bài 10: Dùng kiểu mẫu điện thế ngưỡng, xác định v0 trong mạch hình 1.45 Bài 11: Thiết kế mạch ghip áp có đặc tính như hình 1.46 và hình 1.47 Trương Văn Tám I-21 Mạch Điện Tử
- 23. Diode Bài 12: Cho mạch điện hình 1.48 a. Xác định VL, IL, IZ và IR nếu RL=180 Ω b. Xác định giá trị của RL sao cho diode zener hoạt động không qúa công suất c. Xác định giá trị tối thiểu của RL để zener có thể hoạt động được. Bài 13: a. Thiết kế hệ thống mạch có dạng hình 1.49 biết rằng VL=12V khi IL thay đổi từ 0 đến 200mA. Xác định RS và VZ b. Xác định PZM của zener. Bài 14: Trong mạch điện hình 1.50, xác định khoảng thay đổi của vi sao cho VL=8V và diode zener hoạt động không qúa công suất. Trương Văn Tám I-22 Mạch Điện Tử
- 24. Diode Trương Văn Tám I-23 Mạch Điện Tử
- 25. phân cực và khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT Chương II MẠCH PHÂN CỰC VÀ KHUẾCH ÐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG BJT Ta biết BJT có thể hoạt động trong 3 vùng: - Vùng tác động: [Vùng khuếch đại hay tuyến tính] với nối B-E phân cực thuận nối B-C phân cực nghịch - Vùng bảo hòa: Nối B-E phân cực thuận Nối B-C phân cực thuận - Vùng ngưng: Nối B-E phân cực nghịch Tùy theo nhiệm vụ mà hoạt động của transistor phải được đặt trong vùng nào. Như vậy, phân cực transistor là đưa các điện thế một chiều vào các cực của transistor như thế nào để transistor hoạt động trong vùng mong muốn. Dĩ nhiên người ta còn phải thực hiện một số biện pháp khác để ổn định hoạt động transistor nhất là khi nhiệt độ của transistor thay đổi. Trong chương này, ta khảo sát chủ yếu ở BJT NPN nhưng các kết qủa và phương pháp phân tích vẫn đúng với BJT PNP, chỉ cần chú ý đến chiều dòng điện và cực tính của nguồn điện thế 1 chiều. 2.1. PHÂN CỰC CỐ ÐỊNH: [FIXED-BIAS] Mạch cơ bản như hình 2.1 Phương pháp chung để phân giải mạch phân cực gồm ba bước: - Bước 1 : Dùng mạch điện ngõ vào để xác định dòng điện ngõ vào [IB hoặc IB E]. - Bước 2: Suy ra dòng điện ngõ ra từ các liên hệ IC=βIB IC=αIE Trương Văn Tám II-1 Mạch Điện Tử
- 26. phân cực và khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT - Bước 3:Dùng mạch điện ngõ ra để tìm các thông số còn lại [điện thế tại các chân, giữa các chân của BJT...] Áp dụng vào mạch điện hình 2.1 * Sự bảo hòa của BJT: Sự liên hệ giữa IC và IB sẽ quyết định BJT có hoạt động trong vùng tuyến tính hay không. Ðể BJT hoạt động trong vùng tuyến tính thì nối thu - nền phải phân cực nghịch. Ở BJT NPN và cụ thể ở hình 2.1 ta phải có: thì BJT sẽ đi dần vào hoạt động trong vùng bão hòa. Từ điều kiện này và liên hệ IC=βIB ta tìm được trị số tối đa của IB, từ đó chọn RB BB sao cho thích hợp. Trương Văn Tám II-2 Mạch Điện Tử
- 27. phân cực và khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT 2.2. PHÂN CỰC ỔN ÐỊNH CỰC PHÁT: [EMITTER - STABILIZED BIAS] Mạch cơ bản giống mạch phân cực cố định, nhưng ở cực phát được mắc thêm một điện trở RE xuống mass. Cách tính phân cực cũng có các bước giống như ở mạch phân cực cố định. * Sự bảo hòa của BJT: Tương tự như trong mạch phân cực cố định, bằng cách cho nối tắt giữa cực thu và cực phát ta tìm được dòng điện cực thu bảo hòa ICsat Ta thấy khi thêm RE vào, ICsat nhỏ hơn trong trường hợp phân cực cố định, tức BJT dễ bão hòa hơn. 2.3. PHÂN CỰC BẰNG CẦU CHIA ĐIỆN THẾ: [VOLTAGE - DIVIDER BIAS] Mạch cơ bản có dạng hình 2.3. Dùng định lý Thevenin biến đổi thành mạch hình 2.3b Trong đó: Trương Văn Tám II-3 Mạch Điện Tử
- 28. phân cực và khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT • Mạch nền - phát: VBB= RBBIB+VB BE+REIE Thay: IE=[1+β]IB • Suy ra IC từ liên hệ: IC=βIB * Cách phân tích gần đúng: Trong cách phân cực này, trong một số điều kiện, ta có thể dùng phương pháp tính gần đúng. Ðể ý là điện trở ngõ vào của BJT nhìn từ cực B khi có RE là: Ta thấy, nếu xem nội trở của nguồn VBE không đáng kể so với [1+β]RE thì Ri=[1+β]RE. Nếu Ri>>R2 thì dòng IBVS tức VGS >0. Thí dụ ta xem mạch phân cực hình 3.7. Trương Văn Tám III-4 Mạch Điện Tử
- 58. phân cực và khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng FET - Ðặc tuyến truyền được xác định bởi: IDSS = 6mA VGS[off] =-3v - Ðường phân cực được xác định bởi: VGS = VG-RSID Vậy VGS[off] = 1.5volt - ID[mA]. 0,15 [kΩ] Từ đồ thị hình 3.8 ta suy ra: IDQ =7.6mA VGSQ = 0.35v VDS = VDD - [RS+RD]ID = 3.18v 3.2.2 Phân cực bằng mạch hồi tiếp điện thế: Mạch cơ bản hình 3.9 - Ðặc tuyến truyền giống như trên. - Ðường phân cực xác định bởi: VGS = VDS = VDD - RDID [3.11] trùng với đường thẳng lấy điện. Vẽ hai đặc tuyến này ta có thể xác định được IDQ và VGSQ Trương Văn Tám III-5 Mạch Điện Tử
- 59. phân cực và khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng FET 3.3 MẠCH PHÂN CỰC E-MOSFET: Do E-MOSFET chỉ phân cực theo kiểu tăng [VGS >0 ở kênh N và VGS VGS[th] thì ID được xác định bởi: Hệ số k được xác định từ các thông số của nhà sản xuất. Thường nhà sản xuất cho biết VGS[th] và một dòng ID[on] tương ứng với một điện thế VGS[on]. Suy ra: Ðể xác định và vẽ đặc tuyến truyền người ta xác định thêm 2 điểm: một điểm ứng với VGS VGS[on] 3.3.1 Phân cực bằng hồi tiếp điện thế: Vì IG = 0 nên VD = VG và VGS = VDS VGS = VDS = VDD - RDID [3.13] Ta thấy đường phân cực trùng với đường thẳng lấy điện. Giao điểm của đường phân cực và đặc tuyến truyền là điểm điều hành Q. 3.3.2 Phân cực bằng cầu chia điện thế: Mạch này thông dụng hơn và có dạng như hình 3.13 Trương Văn Tám III-6 Mạch Điện Tử
- 60. phân cực và khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng FET Từ mạch cổng nguồn ta có: VG = VGS - RSID ⇒ VGS = VG - RSID [3.14] Ðây là phương trình đường phân cực. Do điều hành theo kiểu tăng nên ta phải chọn R1, R2, RS sao cho: VGS >VS = RSID tức VGS >0 Giao điểm của đặc tuyến truyền và đường phân cực là điểm điều hành Q. Từ đồ thị ta suy ra IDQ và VGSQ và từ đó ta có thể tìm được VDS, VD, VS ... 3.4 MẠCH KẾT HỢP BJT VÀ FET: Ðể ổn định điểm tĩnh điều hành cho FET, người ta có thể dùng mạch phân cực kết hợp với BJT. BJT ở đây đóng vai trò như một nguồn dòng điện. Mạch phân cực cho BJT thường dùng là mạch cầu chia điện thế hay ổn định cực phát. Thí dụ ta xác định VD và VC của mạch hình 3.15. Trương Văn Tám III-7 Mạch Điện Tử
- 61. phân cực và khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng FET Ðể ý là: βRE = 288k >10R2 = 240k nên ta có thể áp dụng phương pháp tính gần đúng: Ta có thể giải phương trình trên để tìm VGS. Ðơn giản hơn ta dùng phương pháp đồ thị. Cách vẽ đặc tuyến truyền như ở phần trước. Từ đồ thị ta suy ra: VGS=-3.7volt. Từ đó: VC = VB - VB GS = 7.32v Người ta cũng có thể dùng FET như một nguồn dòng điện để ổn định phân cực cho BJT như ở hình 3.17. Sinh viên thử phân giải để xác định VC, VD của mạch. 3.5 THIẾT KẾ MẠCH PHÂN CỰC DÙNG FET: Công việc thiết kế mạch phân cực dùng FET thật ra không chỉ giới hạn ở các điều kiện phân cực. Tùy theo nhu cầu, một số các điều kiện khác cũng phải được để ý tới, nhất là việc ổn định điểm tĩnh điều hành. Từ các thông số của linh kiện và dạng mạch phân cực được lựa chọn, dùng các định luật Kirchoff, định luật Ohm... và phương trình Schockley hoặc đặc tuyến truyền, đường phân cực... để xác định các thông số chưa biết. Trương Văn Tám III-8 Mạch Điện Tử
- 62. phân cực và khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng FET Tổng quát trong thực hành, để thiết kế một mạch phân cực dùng FET, người ta thường chọn điểm điều hành nằm trong vùng hoạt động tuyến tính. Trị số tốt nhất thường được chọn là hoặc . Ngoài ra, VDS cũng không được vượt quá trị số tối đa mà FET có thể chịu đựng được. Thí dụ: Trong mạch điện hình 3.18a, chọn ID = 2.5 mA, VD = 12v. Dùng FET có IDSS = 6mA, VGS[off] =-3v. Xác định RD và RS. Từ đặc tuyến truyền ⇒ Khi ID = 2.5mA thì VGS=-1v. Vậy: VGS=-RSID [RS =-VGS/ID =0.4kΩ [chọn RS = 390Ω] 3.6 TÍNH KHUẾCH ÐẠI CỦA FET VÀ MẠCH TƯƠNG ÐƯƠNG XOAY CHIỀU TÍN HIỆU NHỎ: Người ta cũng có thể dùng FET để khuếch đại tín hiệu nhỏ như ở BJT. JFET và DE-MOSFET khi điều hành theo kiểu hiếm có dạng mạch giống nhau. Ðiểm khác nhau chủ yếu ở JFET và DE-MOSFET là tổng trở vào của DE-MOSFET lớn hơn nhiều [sinh viên xem lại giáo trình linh kiện điện tử]. Trong lúc đó ở BJT, sự thay đổi dòng điện ngõ ra [dòng cực thu] được điều khiển bằng dòng điện ngõ vào [dòng cực nền], thì ở FET, sự thay đổi dòng điện ngõ ra [dòng cực thoát] được điều khiển bằng một điện thế nhỏ ở ngõ vào [hiệu thế cổng nguồn VGS]. Ở BJT ta có độ lợi dòng điện β thì ở FET có độ truyền dẫn gm. Với tín hiệu nhỏ, mạch tương đương xoay chiều của FET như hình 3.19a, trong đó rπ là tổng trở vào của FET. Trương Văn Tám III-9 Mạch Điện Tử
- 63. phân cực và khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng FET Ở JFET, rπ khoảng hàng chục đến hàng trăm MΩ, trong lúc ở MOSFET thường ở hàng trăm đến hàng ngàn MΩ. Do đó, thực tế người ta có thể bỏ rπ trong mạch tương đương [hình 3.19b]. rd là tổng trở ra của FET, được định nghĩa: tức tùy thuộc vào điểm điều hành, rd có thể thay đổi từ vài chục kΩ đến vài chục MΩ. rd và gm thường được nhà sản xuất cho biết dưới dạng rd=1/yos; gm=yfs ở một điểm điều hành nào đó. Nếu trong mạch thiết kế, RD [điện trở nối từ cực thoát lên nguồn] không lớn lắm [vài kΩ], ta có thể bỏ rd trong mạch tương đương [hình 3.19c]. 3.7 MẠCH KHUẾCH ÐẠI DÙNG JFET HOẶC DE- MOSFET ÐIỀU HÀNH THEO KIỂU HIẾM: 3.7.1 Mạch cực nguồn chung: Có thể dùng mạch phân cực cố định [hình 3.20], mạch phân cực tự động [hình 3.21] hoặc mạch phân cực bằng cầu chia điện thế [hình 3.22]. Mạch tương đương xoay chiều vẽ ở hình 3.23. Trương Văn Tám III-10 Mạch Điện Tử
- 64. phân cực và khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng FET Trong đó Ri=RG ở hình 3.20 và 3.21; Ri=R1 //R2 ở hình 3.22. Phân giải mạch ta tìm được: - Tổng trở ra: Z0 = rd //RD [3.17] 3.7.2 Ðộ lợi điện thế của mạch khuếch đại cực nguồn chung với điện trở RS : Giả sử ta xem mạch hình 3.24 với mạch tương đương hình 3.25. Trương Văn Tám III-11 Mạch Điện Tử
- 65. phân cực và khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng FET 3.7.3 Mạch khuếch đại cực thoát chung hay theo nguồn[Common Drain or source follower] Người ta có thể dùng mạch phân cực tự động hoặc phân cực bằng cầu chia điện thế như hình 3.26 và hình 3.27 Trương Văn Tám III-12 Mạch Điện Tử
- 66. phân cực và khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng FET Mạch tương đương xoay chiều được vẽ ở hình 3.28. Trong đó: Ri=RG trong hình 3.26 và Ri = R1 //R2 trong hình 3.27. - Ðộ lợi điện thế: Ta có: v0 = [gmvgs][ RS //rd] Vgs = vi - v0 - Tổng trở vào Zi = Ri [3.20] - Tổng trở ra: Ta thấy RS song song với rd và song song với nguồn dòng điện gmvgs. Nếu ta thay thế nguồn dòng điện này bằng một nguồn điện thế nối tiếp với điện trở 1/gm và đặt nguồn điện thế này bằng 0 trong cách tính Z0, ta tìm được tổng trở ra của mạch: Z0 = RS //rd // 1/gm [3.21] 3.7.4 Mạch khuếch đại cực cổng chung: [ Common-gate circuit] Mạch căn bản và mạch tương đương xoay chiều như hình 3.29a và 3.29b. Trương Văn Tám III-13 Mạch Điện Tử
- 67. phân cực và khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng FET 3.8 MẠCH KHUẾCH ÐẠI DÙNG E-MOSFET: Do E-MOSFET chỉ điều hành theo kiểu tăng, nên thường được phân cực bằng cầu chia điện thế hoặc hồi tiếp điện thế. Thí dụ: Ta xem mạch hình 3.30a có mạch tương đương xoay chiều hình 3.30b. Trương Văn Tám III-14 Mạch Điện Tử
- 68. phân cực và khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng FET Thông thường gmRG >>1 nên AV = -gm[RG //rd //RD] Nhưng RG thường rất lớn nên AV ≠ -gm[rd //RD] [3.25] - Xác định giá trị của gm: gm thường được nhà sản xuất cho biết ở một số điều kiện phân cực đặc biệt, hay có thể được tính từ điểm tĩnh điều hành. Hoặc gm có thể được tính một cách gần đúng từ công thức: gm = 2k[VGS - VGS[th]] với k có trị số trung bình khoảng 0.3mA/V2. - Tổng trở vào: - Tổng trở ra: Z0 = RD //rd //RG [3.27] 3.9 THIẾT KẾ MẠCH KHUẾCH ÐẠI DÙNG FET: Vấn đề thiết kế mạch khuếch đại dùng FET ở đây giới hạn ở chỗ tìm các điều kiện phân cực, các trị số của linh kiện thụ động để có được độ lợi điện thế mong muốn. Thí dụ: Thiết kế mạch khuếch đại phân cực tự động dùng JFET như hình 3.31 sao cho độ lợi điện thế bằng 10. Trương Văn Tám III-15 Mạch Điện Tử
- 69. phân cực và khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng FET RG nên chọn khá lớn để không làm giảm tổng trở vào của mạch. Thí dụ ta có thể chọn RG= 10MΩ. BÀI TẬP CUỐI CHƯƠNG III Bài 1: Xác định ID, VDS, VD và VS của mạch hình 3.32 Bài 2: Ở mạch hình 3.33, cho VDS = 8v. Xác định ID, VD, VS, VGS. Bài 3: Hãy thiết kế một mạch phân cực tự động dùng JFET có IDSS=8mA; VGS[off]=-6v và điểm điều hành Q ở IDQ = 4mA với nguồn cung cấp VDD= +14v. Chọn RD = 3RS. Bài 4: Thiết kế một mạch phân cực bằng cầu chia điện thế dùng DE-MOSFET với IDSS = 10mA, VGS[off] = -4v có điểm điều hành Q ở IDQ = 2.5mA và dùng nguồn cấp điện VDD=24v. Chọn VG=4v và RD=2.5RS với R1=22MΩ. Bài 5: Tính Zi, Z0 và AV của mạch điện hình 3.34 Trương Văn Tám III-16 Mạch Điện Tử
- 70. phân cực và khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng FET Bài 6: Xác định giá trị của RD và RS trong mạch điện hình 3.35 khi được phân cực ở VGSQ = 1/2VGS[off] và VDSQ = 1/2VDD. Tính độ lợi điện thế trong trường hợp này. Bài 7: Thiết kế mạch khuếch đại dùng JFET có dạng như hình 3.36, sao cho độ lợi điện thế là 8. Ðể giới hạn bước thiết kế, cho VGSQ gần trị số tối đa của gm, thí dụ như ở VGS[off]/4. Bài 8: Thiết kế mạch khuếch đại dùng JFET có dạng hình 3.37 sao cho độ lợi điện thế bằng 5. Chọn VGSQ=VGS[off]/4. Trương Văn Tám III-17 Mạch Điện Tử
- 71. phân cực và khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng FET Trương Văn Tám III-18 Mạch Điện Tử
- 72. hưởng của nội trở nguồn và tổng trở tải Chương 4 ẢNH HƯỞNG CỦA NỘI TRỞ NGUỒN TÍN HIỆU [RS] VÀ TỔNG TRỞ TẢI [RL] LÊN MẠCH KHUẾCH ÐẠI Trong các chương trước, chúng ta đã phân tích và tính toán các thông số của mạch khuếch đại dùng BJT và FET khi không có tải và nguồn tín hiệu được xem như lý tưởng [không có nội trở]. Thực tế, nguồn tín hiệu luôn có nội trở RS và mạch có tải RL. Nội trở RS và tải RL như vậy sẽ làm thay đổi các thông số của mạch như tổng trở vào, tổng trở ra, độ lợi điện thế và độ lợi dòng điện. Nội dung của chương này là khảo sát ảnh hưởng của RS và RL lên các thông số. 4.1 HỆ THỐNG 2 CỔNG [two-port systems] Người ta thường xem BJT và FET như một hệ thống 2 cổng [hay tứ cực] như hình 4.1 Trong đó vi, ii, Zi lần lượt là điện thế [tín hiệu], dòng điện và tổng trở của ngõ vào. v0, i0, Z0 là điện thế, dòng điện và điện trở của ngõ ra. AVNL, AINL là độ lợi điện thế và độ lợi dòng điện của hệ thống. Toàn bộ các thông số này được định nghĩa khi ngõ ra không mắc tải và không có điện trở nguồn RS. Áp dụng định lý Thevenin ở hai cực của ngõ ra, ta có: Zth=Z0=R0 Nguồn điện thế Thevenin Eth là điện thế mạch hở giữa 2 đầu ngõ ra, đó là v0. Vậy: Nên Eth=AVNL.vi Ta có thể dùng Ri=Zi=vi/ii để biểu diễn mạch ngõ vào và dùng nguồn Thevenin Eth=AVNL.Vi và Z0=R0 để biểu diễn ngỏ ra của hệ thống 2 cổng. Trương Văn Tám IV-1 Mạch Điện Tử
- 73. hưởng của nội trở nguồn và tổng trở tải Ðể thử lại mạch tương đương này, ta thử tìm Z0 và AVNL. Ðể tìm Z0, ta nối tắt ngõ vào tức vi=0v, từ đó AVNL.vi=0v và tương đương với mạch nối tắt, do đó Z0=R0 như đã định nghĩa phía trên. Sự vắng mặt của tải sẽ đưa đến i0=0 và điện thế giảm qua R0 là VR0=0. Do đó ở ngõ ra hở chính bằng nguồn AVNL.vi. Thí dụ: Cho mạch phân cực cố định như hình 4.3. Hãy vẽ mạch tương đương 2 cổng. Giải: Phân giải mạch này ta tìm được: Zi=1.07kΩ; Z0=3kΩ; AVNL=-280.11 [xem lại chương 2] Dùng các dữ kiện này ta vẽ lại mạch tương đương 2 cổng như hình 4.4. Dấu trừ trong nguồn điện thế phụ thuộc có nghĩa là nguồn điện thế thật sự ngược với nguồn điều khiển chỉ định trên hình vẽ. Nó cũng cho thấy độ lệch pha 1800 giữa điện thế ngõ vào và ngõ ra. Trong thí dụ trên, điện trở RC=3kΩ được đưa vào để xác định độ lợi điện thế không tải. Sự phân tích trong chương này sẽ xem các điện trở phân cực là thành phần của độ lợi không tải, tải RL sẽ được nối vào các cực của ngõ ra. 4.2 HIỆU ỨNG CỦA TỔNG TRỞ TẢI RL Phần này, ta xem ảnh hưởng của tổng trở tải RL đối với kiểu mẩu 2 cổng. [xem hình 4.5] Áp dụng công thức cầu chia điện thế ở mạch ngõ ra ta có: Trương Văn Tám IV-2 Mạch Điện Tử
- 74. hưởng của nội trở nguồn và tổng trở tải Tuy Ri thay đổi tùy theo dạng mạch, nhưng dòng điện ngõ vào luôn luôn được xác định bởi: Ðộ lợi dòng điện như vậy có thể tìm được từ độ lợi điện thế, tổng trở vào và điện trở tải. Ðường thẳng lấy điện động: [xoay chiều] được xem như nối tắt và tải của mạch điện được xem là RL và điện trở cực thu RC mắc song song với nhau. Tác dụng của điện trở tải RL làm cho đường thẳng lấy điện động có dốc đứng hơn dòng điện lấy điện tĩnh. Ðiểm chú ý quan trọng là cả 2 đường thẳng này đều qua cùng một điểm Q. Trương Văn Tám IV-3 Mạch Điện Tử
- 75. hưởng của nội trở nguồn và tổng trở tải Khi chưa mắc tải RL, nếu ta áp một tín hiệu nhỏ hình sin vào cực nền của transistor , dòng điện cực nền của transistor sẽ biến động từ IB1đến IB3 nên điện thế ngỏ ra VCE cũng biến động như hình vẽ. Nếu ta mắc tải RL vào, vì sự biến động của IB vẫn không thay đổi nhưng độ dốc của đường thẳng lấy điện đã thay đổi [đứng hơn] nên tín hiệu ra V B CE nhỏ hơn. 4.3 ẢNH HƯỞNG CỦA NỘI TRỞ NGUỒN RS Bây giờ ta quay lại ngõ vào của hệ thống 2 cổng và khảo sát ảnh hưởng của nội trở của nguồn tín hiệu lên độ lợi của mạch khuếch đại. Hình 4.8 mô tả một nguồn tín hiệu VS có nội trở RS được áp vào ngõ vào của hệ thống 2 cổng căn bản. Trương Văn Tám IV-4 Mạch Điện Tử
- 76. hưởng của nội trở nguồn và tổng trở tải Từ định nghĩa của Zi và AVNL ta thấy chúng không bị ảnh hưởng bởi nội trở RS nhưng tổng trở ra có thể bị ảnh hưởng bởi RS. Từ hình 4.8, ta thấy tín hiệu vi đưa vào hệ thống 2 cổng bây giờ là: Như vậy nếu nội trở nguồn RS càng lớn thì độ lợi của mạch càng nhỏ [do tín hiệu vào vi nhỏ]. Với hệ thống 2 cổng bên trên ta có: 4.4 ẢNH HƯỞNG CHUNG CỦA RS VÀ RL: Hình 4.9 là một nguồn tín hiệu với nội trở RS và một tải RL được mắc vào hệ thống 2 cổng với các thông số riêng Zi=Ri, AVNL, Z0=R0 như đã định nghĩa. Ở ngõ vào ta có: Ðộ lợi toàn mạch: Trương Văn Tám IV-5 Mạch Điện Tử
- 77. hưởng của nội trở nguồn và tổng trở tải Ngoài ra: Vì iS =ii nên Ais=Ai tức phương trình [4.6] và [4.7] cho cùng một kết quả. Phương trình [4.5] cho thấy cả hai RS và RL đều có tác dụng làm giảm độ khuếch đại. 4.5 MẠCH CỰC PHÁT CHUNG DÙNG BJT: Trong phần này ta xét các dạng khác nhau của mạch khếch đại cực phát chung dùng BJT với ảnh hưởng của RS và RL. Sự phân giải chi tiết sẽ không được đề cập đến do quá quen thuộc. Ở đây ta chỉ đưa ra các kết quả chính. 4.5.1 Mạch phân cực cố định: Kiểu mạch phân cực cố định đã được xác định các chi tiết trong các phần trước. Mạch tương đương với nội trở nguồn RS và tải RL như hình 4.10. Ta có: Trương Văn Tám IV-6 Mạch Điện Tử
- 78. hưởng của nội trở nguồn và tổng trở tải Với mạch tương đương kiểu mẫu re như hình 4.11 cho mạch phân cực cố định, ta phân giải và sẽ tìm được cùng kết quả. Ðể tính AVS, từ mạch tương 2 cổng ta có: 4.5.2 Mạch dùng cầu chia điện thế: Với mạch dùng cầu chia điện thế [hình 4.12], tải RL được nối ở cực thu. 4.5.3 Mạch cực phát chung không có tụ phân dòng: Mạch điện như hình 4.13 Trương Văn Tám IV-7 Mạch Điện Tử
- 79. hưởng của nội trở nguồn và tổng trở tải Tổng trở vào: Tổng trở ra: Z0=RC 4.5.4 Mạch hồi tiếp cực thu: Dạng mạch như hình 4.14 4.6 MẠCH CỰC THU CHUNG: Mạch cực thu chung hay mạch emitter-follower với tải RL và nội trở nguồn RS như hình 4.15. Ðiểm quan trọng cần chú ý là ở mạch này Z0 sẽ bị ảnh hưởng bởi RS và Zi bị Trương Văn Tám IV-8 Mạch Điện Tử
- 80. hưởng của nội trở nguồn và tổng trở tải ảnh hưởng bởi RL. Do đó khi dùng mạch tương đương 2 cổng để phân giải ta phải tính lại Zi và Z0 và đưa các trị số mới này vào mạch tương đương 2 cổng [xem ở thí dụ]. Trong đó: R’E=RE //RL; ie=[β+1]ib Từ mạch ngõ vào ta có: vS=[RS+βre]ib + [β+1]R’Eib Từ phương trình này ta có thể vẽ mạch tương đương: Từ đó ta có: Trương Văn Tám IV-9 Mạch Điện Tử
- 81. hưởng của nội trở nguồn và tổng trở tải Thí dụ: Cho mạch điện hình 4.18. Các thông số của mạch khi không có tải là: Zi=157.54 kΩ Z0=21.6 [ [không có RS] AVNL=0.993 với re=21.74Ω, β=65 Xác định: a/ Giá trị mới của Zi và Z0 khi có RL và RS. Giải Trương Văn Tám IV-10 Mạch Điện Tử
- 82. hưởng của nội trở nguồn và tổng trở tải a/ Ta có tổng trở vào và tổng trở ra khi có RS và RL là: Zi=RB //[βre + RE //RL] = 75.46kΩ Z0=RE //[RS/β + re]=30.08Ω b/ Ta có mạch tương đương 2 cổng: 4.7 MẠCH CỰC NỀN CHUNG: Mạch căn bản như hình 4.20 Tổng trở vào và tổng trở ra [Zi và Z0] cũng giống như trường hợp không tải. Ðộ lợi điện thế và dòng điện được xác định bởi: Trương Văn Tám IV-11 Mạch Điện Tử
- 83. hưởng của nội trở nguồn và tổng trở tải 4.8 MẠCH DÙNG FET: Ở FET, do cực cổng cách điện hẳn khỏi cực nguồn và cực thoát, nên trong mạch khuếch đại dùng FET tải RL không ảnh hưởng đến tổng trở vào Zi và nội trở nguồn Rsig không ảnh hưởng lên tổng trở ra Z0. 4.8.1 Ðiện trở cực nguồn có tụ phân dòng: Xem mạch khuếch đại dùng FET như hình 4.21. Tải RL được xem như mắc song song với điện trở RD trong mạch tương đương với tín hiệu nhỏ. Ta có các kết quả sau: 4.8.2 Ðiện trở cực nguồn không có tụ phân dòng: Mạch căn bản như hình 4.21 nhưng không có tụ CS. Ta có kết quả: 4.8.3 Mạch cực thoát chung: Mạch như hình 4.22 Tổng trở vào Zi độc lập với RL và được xác định bởi Zi=RG Trương Văn Tám IV-12 Mạch Điện Tử
- 84. hưởng của nội trở nguồn và tổng trở tải Ðộ lợi điện thế khi có tải cũng giống như khi không có tải với RS được thay bằng RS //RL 4.8.4 Mạch cực cổng chung: Dạng mạch như hình 4.23 BÀI TẬP CUỐI CHƯƠNG IV Bài 1: Cho mạch điện như hình 4.24 a/ Xác định AVNL, Zi, Z0 b/ Vẽ mạch tương đương 2 cổng với các thông số tính ở câu a. c/ Tính độ lợi điện thế AV=v0/vi bằng cách dùng kiểu mẫu 2 cổng. d/ Xác định độ lợi dòng điện Ai=i0/ii e/ Xác định AV, Zi, Z0 bằng cách dùng kiểu mẫu re và so sánh kết quả với phần trên. Trương Văn Tám IV-13 Mạch Điện Tử
- 85. hưởng của nội trở nguồn và tổng trở tải Bài 2: Cho mạch điện hình 4.25 a/ Xác định AVNL, Zi, Z0 b/ Vẽ mạch tương 2 cổng với các thông số được tính ở câu a. c/ Xác định Av=v0 /vi và AVS= v0 /vS. d/ Thay RS =1k, xác định AV và AVS. Khi RS tăng AV và AVS thay đổi như thế nào? e/ Thay RS=1k, xác định AVNL, Zi, Z0. Các thông số này thay đổi ra sao khi RS tăng. f/ Thay RL=5.6k.Xác định AV và AVS. Khi RL tăng AV và AVS thay đổi như thế nào? [RS vẫn là 0.6k]. Bài 3: Cho mạch điện hình 4.26 a/ Xác định AVNL, Zi, Z0. b/ Vẽ mạch tương đương 2 cổng với các thông số tính được ở câu a. c/ Xác dịnh AV và AVS. d/ Thay RL=4.7k. Tìm lại AV, AVS. Nhận xét? e/ Thay RSig =1k [với RL=4.7k]. tìm lại AV và AVS. Nhận xét? f/ Thay RL=4.7k, RSig=1k. Tìm lại Zi, Z0. Nhận xét? Trương Văn Tám IV-14 Mạch Điện Tử
- 86. hưởng của nội trở nguồn và tổng trở tải Trương Văn Tám IV-15 Mạch Điện Tử
- 87. ứng tần số của BJT và FET Chương 5 ÐÁP ỨNG TẦN SỐ CỦA BJT VÀ FET Trong các chương 2, 3, 4 ta đã phân tích các mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT và FET. Việc phân tích đó chỉ đúng trong một dải tần số nhất định, ở đó ta giả sử các tụ liên lạc ngõ vào, ngõ ra và phân dòng có dung kháng không đáng kể và được xem như nối tắt ở tần số của tín hiệu. Ngoài ra ở dải tần số đó ảnh hưởng của các điện dung liên cực trong BJT và FET không đáng kể. Dải tần số này thường được gọi là dải tần số giữa. Trong chương này ta sẽ khảo sát ảnh hưởng của các tụ liên lạc, phân dòng [có điện dung lớn] ở tần số thấp và các tụ liên cực [có điện dung nhỏ] ở tần số cao lên các thông số của mạch khuếch đại. Trước khi đi vào chi tiết, ta cần biết qua một số khái niệm cần thiết như là một công cụ khảo sát. 5.1 DECIBEL: Ta xem mạch tương đương 2 cổng hình 5.1 Công suất ngõ vào được định nghĩa: Pi=vi.ii Công suất ngõ ra được định nghĩa: P0=v0.i0 Trong kỹ nghệ người ta thường đưa ra một đơn vị là decibel [dB] để diễn tả độ lợi công suất. Ðơn vị căn bản ban đầu là Bel và được định nghĩa: Trương Văn Tám V-1 Mạch Điện Tử
- 88. ứng tần số của BJT và FET 5.2 MẠCH LỌC THƯỢNG THÔNG R.C: Dạng mạch căn bản như hình 5.2 Tụ C được xem như nối tắt [short-circuit], kết quả là: v0 ≈ vi - Ở khoảng giữa 2 tần số này, độ lợi điện thế AV=v0 /vi thay đổi nhu hình 5.3. Khi tần số tăng, dung kháng của tự C giảm và tín hiệu ở ngỏ ra v0 lớn dần. Ðiện thế ngõ vào và ngõ ra liên hệ với nhau bằng công thức: Trương Văn Tám V-2 Mạch Điện Tử
- 89. ứng tần số của BJT và FET Tại AV=1 ⇒v0=vi [trị tối đa] AV[dB]=20Log1=0dB Vậy tần số cắt là tần số tại đó độ lợi giảm đilần hay giảm đi 3dB. Nếu phương trình độ lợi được viết dưới dạng số phức: Khi ffi thì AV[dB] =-20log[f/fi] và độ dốc của giản đồ cũng là 20dB/decade. Trương Văn Tám V-5 Mạch Điện Tử
- 92. ứng tần số của BJT và FET 5.4 ÐÁP ỨNG TẦN SỐ THẤP CỦA MẠCH KHUẾCH ÐẠI DÙNG BJT: Trong đoạn này, ta phân tích mạch khuếch đại dùng cầu chia điện thế, nhưng kết quả cũng có thể được áp dụng cho các mạch khác. Tại tần số cắt fLS, điện thế tín hiệu vi bằng 70.7% so với giá trị được xác định bởi phương trình [5.11] và như vậy ta thấy CS chỉ có ảnh hưởng lên độ khuếch đại của mạch ở tần số thấp. Ở mạch khuếch đại như hình [5.8], khi phân tích ảnh hưởng của CS; ta giả sử CE và CC có dung kháng khá lớn và xem như nối tắt ở tần số của tín hiệu. Với giả sử này, mạch tương đương xoay chiều ở ngõ vào như hình 5.10. CC: Vì CC được nối giữa ngỏ ra của BJT và tải nên hình ảnh CC và RL, R0 như một mạch lọc thượng thông. Tần số cắt do ảnh hưởng của CC có thể được xác định bởi: Trương Văn Tám V-6 Mạch Điện Tử
- 93. ứng tần số của BJT và FET Giả sử rằng ảnh hưởng của CS và CE không đáng kể, điện thế ngõ ra sẽ giảm còn 70.7% so với v0 ở tần số giữa tại fLC. Mạch tương đương xoay chiều ở ngõ ra như hình 5.12. Vậy R0 = RC //r0. CE: Ta có thể xem CE nhìn hệ thống như hình vẽ 5.13 Ðể xác định ảnh hưởng của CE lên độ khuếch đại của mạch, ta xem mạch hình 5.16, trong đó độ khuếch đại được cho bởi: khi không có CE. Trương Văn Tám V-7 Mạch Điện Tử
- 94. ứng tần số của BJT và FET Khi ta mắc CE vào mạch, nhận thấy: - Ở tần số thật thấp, dung kháng của CE lớn, CE có thể xem như hở mạch và độ lợi điện thế sẽ nhỏ nhất được tính bằng công thức [5.17]. - Khi tần số tín hiệu tăng dần, dung kháng của CE giảm và vì mắc song song với RE nên tổng trở nhìn ở chân E giảm nên độ khuếch đại tăng dần. - Khi tần số đủ lớn [tần số giữa hay tần số cao] tụ CE xem như nối tắt và độ lợi điện thế sẽ cực đại và . - Tại tần số fLE, độ lợi điện thế sẽ giảm 3dB so với tần số giữa. Như vậy ta thấy rằng đáp ứng ở tần số thấp của mạch là do ảnh hưởng của CS, CC, CE. Tần số cắt thấp [tần số tại đó độ lợi giảm 3dB] của mạch sẽ là tần số cắt thấp cao nhất của fLS, fLC và fLE. 5.5 ÐÁP ỨNG TẦN SỐ THẤP CỦA MẠCH KHUẾCH ÐẠI DÙNG FET: Việc phân tích một mạch khuếch đại dùng FET ở tần số thấp cũng tương tự như mạch khuếch đại dùng BJT ở đoạn trước. Ba tụ điện tạo ảnh hưởng đến độ lợi ở tần số thấp là C , C và C . Ta xem một mạch khuếch đại dùng FET như hình 5.17. G C S CG: Do tụ CG nối giữa nguồn tín hiệu và hệ thống linh kiện nên mạch tương đương như hình 5.18. Tần số cắt thấp do ảnh hưởng của CG được xác định bởi: CC: Tụ liên lạc ngõ ra CC được nối giữa linh kiện và tải nên mạch tương đương ngõ ra như hình 5.19. Tần số thấp do ảnh hưởng của CC được xác định bởi: Trương Văn Tám V-8 Mạch Điện Tử
- 95. ứng tần số của BJT và FET Trong đó: R0 = RD //rd. CS: Tụ cực nguồn CS nhìn hệ thống như hình 5.20. Do đó tần số thấp do hiệu ứng của CS được xác định bởi: Ðể xác định Req, ta chú ý mạch tương đương ngõ ra của mạch dùng FET bên trên như sau: Ta chú ý là: vgs = vg - vS = vi - v0. Ta thay nguồn dòng gmvgs bằng nguồn điện thế và để tính Req ta cho ngõ vào bằng 0 tức vi = 0. Mạch vẽ lại như hình 5.12b. Trương Văn Tám V-9 Mạch Điện Tử
- 96. ứng tần số của BJT và FET 5.6 HIỆU ỨNG MILLER: Ở vùng tần số cao, các điện dung lớn [tụ liên lạc, tụ phân dòng], được xem như nối tắt và không ảnh hưởng đến các thông số của mạch. Ðiện dung ảnh hưởng quan trọng đến hoạt động của mạch là các điện dung liên cực bên trong linh kiện và điện dung tạo bởi dây nối bên ngoài linh kiện. Xem một mạch khuếch đại đảo [dịch pha 1800 giữa ngõ vào và ngõ ra]. Ðiện dung ở ngõ vào và ngõ ra sẽ gia tăng bởi tác dụng của điện dung liên cực giữa ngõ ra và ngõ vào của linh kiện và nó sẽ làm thay đổi độ khuếch đại của mạch. Trong mô hình 5.22, điện dung “hồi tiếp” này được định nghĩa là Cf. Áp dụng định luật Kirchoff về dòng điện ta có: i =i i1+i2 CM fVV Cf X ]CAω[1 1 A1 X = − = − Từ phương trình này ta vẽ lại mạch tương đương như hình 5.23. Các tụ liên cực ở ngõ vào của mạch điện được xem như mắc song song với CM. Tổng quát, điện dung ngõ vào hiệu ứng Miller được định nghĩa bởi: CMi = [1-AV]Cf [5.23] Như vậy ở tần số cao, độ lợi điện thế AV là một hàm số theo CMi. Vì độ lợi ở tần số giữa là cực đại nên ta có thể dùng độ lợi tối đa này để xác định C trong công thức [5.23].Mi Hiệu ứng Miller cũng làm gia tăng điện dung ở ngõ ra, chúng phải được để ý đến khi xác định tần số ngắt cao. Trương Văn Tám V-10 Mạch Điện Tử
- 97. ứng tần số của BJT và FET 5.7 ÐÁP ỨNG TẦN SỐ CAO CỦA MẠCH KHUẾCH ÐẠI DÙNG BJT: Ở vùng tần số cao, có 2 vấn đề xác định điểm -3dB: điện dung của hệ thống [ký sinh và liên cực] và sự phụ thuộc vào tần số của hfe hay β. 5.7.1 Các thông số của hệ thống: Ta xem mạch khuếch đại dùng BJT ở tần số cao như hình 5.25 Cbe, Cbc, Cce là các tụ liên cực của BJT do chế tạo. Cwi, Cw0 là các tụ ký sinh do hệ thống dây nối, mạch in ở ngõ vào và ngõ ra của BJT. Như vậy, mạch tương đương xoay chiều ở tần số cao có thể được vẽ lại như hình 5.26. Trương Văn Tám V-11 Mạch Điện Tử
- 98. ứng tần số của BJT và FET Trong đó: Ci = Cwi + Cbe + CMi C0 = Cw0 + Cce + CM0 Chú ý sự vắng mặt của C , C , C vì ở vùng tần số cao các tụ này xem như nối tắt.S C E Thông thường Cbe và Cce nhỏ nhất. Trong các sách tra cứu, nhà sản xuất thường chỉ cho biết Cbe, Cbc mà bỏ qua Cce. Dùng định lý Thevenin biến đổi mạch ngõ vào và ngõ ra, ta được: Với: Rth1 = RS //R1 //R2 //Ri Tần số giảm 3dB do tác dụng của Ci là: Trong đó: Ci = Cwi + Cbe + CMi Ci= Cwi + Cbe + [1-AV]Cbc Ở tần số rất cao, ảnh hưởng của Ci là làm giảm tổng trở vào của hệ thống, giảm biên độ tín hiệu đưa vào hệ thống [giảm dòng ib] và do đó làm giảm độ lợi của mạch. Ở ngõ ra với: Rth2 = Rc //RL //r0 Ở tần số rất cao, dung kháng của C giảm nên làm giảm tổng trở ra của hệ thống và kết quả là v bị giảm và v sẽ tiến dần về 0 khi X càng nhỏ. 0 0 0 C0 Tần số cắt cao của mạch được xác định là tần số cắt thấp trong 2 tần số cắt f và f .Hi H0 Ngoài ra vì hfe [hay β] cũng giảm khi tần số tăng nên cũng phải được xem là một yếu tố để xác định tần số cắt cao của mạch ngoài fHi và fH0. 5.7.2 Sự biến thiên của hfe [hay β] theo tần số: Ta chấp nhận sự biến thiên của hfe [hay β] theo tần số bằng hệ thức: người ta thường dùng mạch tương đương của BJT theo thông số hỗn tạp π[lai π] ở tần số cao. Trương Văn Tám V-12 Mạch Điện Tử
- 99. ứng tần số của BJT và FET Nếu sách tra cứu cho fα thì ta có thể suy ra fβ từ công thức liên hệ: fβ = fα[1-α] Tích số độ lợi-băng tần được định nghĩa cho BJT bởi điều kiện: Trương Văn Tám V-13 Mạch Điện Tử
- 100. ứng tần số của BJT và FET fT ≈ hfe[mid].fβ [5.30] Chú ý là fβ ≈ BW = băng tần; nên fT chính là tích độ lợi băng tần. Trương Văn Tám V-14 Mạch Điện Tử
- 101. ứng tần số của BJT và FET 5.8 ÐÁP ỨNG TẦN SỐ CAO CỦA MẠCH KHUẾCH ÐẠI DÙNG FET: Việc phân tích một mạch khuếch đại dùng FET ở tần số cao cũng tương tự như ở BJT. Với FET cũng có các điện dung liên cực Cgs, Cds, Cgd và tụ ký sinh ngõ vào Cwi, ngõ ra Cw0. Cgs và Cgd khoảng từ 1pF đến 10 pF trong lúc Cds nhỏ hơn nhiều [từ 0.1pF đến 1pF]. Ta xem mạch khuếch đại dùng FET như hình 5.32. Mạch tương đương xoay chiều như hình 5.33. Trong đó: Ci = CWi + CgS + C VớiMi CMi = [1-AV]Cgd Trương Văn Tám V-15 Mạch Điện Tử
- 102. ứng tần số của BJT và FET Ðể xác định tần số cắt do ảnh hưởng của Ci và C0 ta dùng mạch tương đương Thevenin ở ngõ vào và ngõ ra. Tần số cắt cao của mạch là tần số cắt có trị nhỏ của f và f .Hi H0 Trương Văn Tám V-16 Mạch Điện Tử
- 103. ứng tần số của BJT và FET BÀI TẬP CUỐI CHƯƠNG V Bài 1: Cho mạch điện hình 5.33 Cwi = 5pF, Cw0 = 8pF, Cbc = 12pF, Cbe = 40pF, Cce = 8pF a/ Xác định re b/ Tìm AV[mid] =v0/vi c/ Tính Zi d/ Tìm AVS = v0/vS e/ Xác định fLS, fLe, fLE f/ Xác định tần số cắt thấp g/ Vẽ đáp ứng tần số Bài 2: Với mạch điện và các thông số của bài 1: a/Xác định fHi và fH0 b/ Cho Cb’e = Cbe; Cb’c = Cbc. Tìm fβ và fT c/ Xác dịnh tần số cắt cao và vẽ đáp ứng tần số. Bài 3: Lập lại các câu hỏi của bài 1 với mạch điện hình 5.34 Cwi=8pF, Cwo=10pF, Cbc=20pF, Cbe=30pF, Cce=12pF Trương Văn Tám V-17 Mạch Điện Tử
- 104. ứng tần số của BJT và FET Bài 4: Lập lại các câu hỏi bài 2 cho mạch điện và các thông số của bài 3. Bài 5:Cho mạch điện hình 5.35 a/ Xác định VGS và IDQ b/ Tìm gm0 và gm c/ Tinh AV = v0/vi ở tần số giữa d/ Xác định Zi e/ Tính AVS = v0/vS f/ Xác định fLG, fLC, fLS g/ Xác định fHi và fH0 i/ Vẽ đáp ứng tần số. Cho biết: VGS[off] =-6v, CWi = 3pF, Cdg = 4pF, IDSS = 6mA, Cw0 = 5pF, CgS = 6pF, rd = ∞, CdS = 1pF Bài 6: Lập lại các câu hỏi của bài 5 cho mạch điện hình 5.36 Cho biết: IDSS = 10mA, VGS[off] =-6v, rd = ∞, CWi=4pF, CW0 = 6pF, Cgd = 8pF, Cgs=12pF, CdS = 3pF Trương Văn Tám V-18 Mạch Điện Tử
- 105. dạng liên kết của BJT và FET Chương 6 CÁC DẠNG LIÊN KẾT CỦA BJT VÀ FET Ở các chương trước, chúng ta đã khảo sát các mạch khuếch đại riêng lẻ dùng BJT và FET. Thực tế, một thiết bị điện tử luôn là sự nối kết của các mạch căn bản để đạt đến mục tiêu nào đó. Trong chương này chúng ta sẽ khảo sát các dạng nối kết thông dụng thường gặp trong mạch điện tử. 6.1 LIÊN KẾT LIÊN TIẾP: [cascade connection] Ðây là sự liên kết thông dụng nhất của các tầng khuếch đại, mục đích là tăng độ lợi điện thế. Về căn bản, một liên kết liên tiếp là ngõ ra của tầng này được đưa vào ngõ vào của tầng kế tiếp. Hình 6.1 mô tả một cách tổng quát dạng liên kết này với các hệ thống 2 cổng. Trong đó Av1, Av2, ... là độ lợi điện thế của mỗi tầng khi có tải. Nghĩa là Av1 được xác định với tổng trở vào Zi2 như là tải của tầng Av1. Với Av2, Av1 được xem như là nguồn tín hiệu. Ðộ lợi điện thế tổng cộng như vậy được xác định bởi: AvT = Av1. Av2 . .... . Avn [6.1] Ðộ lợi dòng điện được xác định bởi: Tổng trở vào: Zi = Zi1 Tổng trở ra : Z0 = Z0n 6.1.1 Liên kết bằng tụ điện: Hình 6.2 mô tả một liên kết liên tiếp giữa hai tầng khuếch đại dùng JFET. Trương Văn Tám VI-1 Mạch Điện Tử
- 106. dạng liên kết của BJT và FET -Tổng trở vào của tầng thứ 2: Zi2 = RG2 - Ðộ lợi của toàn mạch: AvT = Av1.Av2 với Av1 = -gm1[RD1 //Zi2] = -gm1[RD1 //RG2] thường RG2 >>RD1 ⇒ Av1 ≠ -gm1RD1 [6.3] và Av2 = -gm2RD2 nên AvT = Av1.Av2 AvT = gm1gm2RD1RD2 [6.4] - Tổng trở vào của hệ thống: Zi = Zi1 = RG1 - Tổng trở ra của hệ thống: Z0 = Z02 = RD2 Về mặt phân cực, do 2 mạch liên lạc với nhau bằng tụ điện nên việc phân giải giống như sự phân giải ở mỗi tầng riêng lẻ. Hình 6.3 là mạch cascade dùng BJT. Cũng như ở FET, mục đích của mạch này là để gia tăng độ lợi điện thế. - Ðộ lợi điện thế của hệ thống: Trương Văn Tám VI-2 Mạch Điện Tử
- 107. dạng liên kết của BJT và FET - Tổng trở vào của toàn mạch: Zi = Zi1= R1 //R2 //β1re1 [6.7] - Tổng trở ra của toàn mạch: Z0 = Z02 = RC2 [6.8] Hình 6.4 là mạch kết hợp giữa FET và BJT . Mạch này, ngoài mục đích gia tăng độ khuếch đại điện thế còn được tổng trở vào lớn. . AvT = Av1. Av2 Với Av1 = -gm[RD //Zi2] [6.9] Trong đó Zi2 = R1 //R2 //βre . Zi = RG [rất lớn] . Z0 = RC 6.1.2 Liên lạc cascade trực tiếp: Ðây cũng là một dạng liên kết liên tiếp khá phổ biến trong các mạch khuếch đại nhất là trong kỹ thuật chế tạo vi mạch. Hình 6.5 mô tả một mạch khuếch đại hai tầng liên lạc trực tiếp dùng BJT. Trương Văn Tám VI-3 Mạch Điện Tử
- 108. dạng liên kết của BJT và FET Ta thấy mạch liên lạc trực tiếp có các lợi điểm: - Tránh được ảnh hưởng của các tụ liên lạc ở tần số thấp, do đó tần số giảm 3dB ở cận dưới có thể xuống rất thấp. - Tránh được sự cồng kềnh cho mạch. - Ðiện thế tĩnh ra của tầng đầu cung cấp điện thế tĩnh cho tầng sau. Tuy thế, mạch cũng vấp phải một vài khuyết điểm nhỏ: - Sự trôi dạt điểm tĩnh điều hành của tầng thứ nhất sẽ ảnh hưởng đến phân cực của tầng thứ hai. - Nguồn điện thế phân cực thường có trị số lớn nếu ta dùng cùng một loại BJT, vấn đề chính của loại liên lạc trực tiếp là ổn định sự phân cực. Cách tính phân cực thường được áp dụng trên toàn bộ mạch mà không thể tính riêng từng tầng. Thí dụ như ở hình 6.5 ta có: Phân cực: Trương Văn Tám VI-4 Mạch Điện Tử
- 109. dạng liên kết của BJT và FET Thông số mạch khuếch đại: Mạch phân cực như trên tuy đơn giản nhưng ít được dùng do không ổn định [sự trôi dạt điểm điều hành của Q1 ảnh hưởng đến phân cực của Q2], do đó trong các mạch liên lạc trực tiếp người ta thường dùng kỹ thuật hồi tiếp một chiều như hình 6.6 Mạch tương đương Thevenin ngõ vào được vẽ ở hình 6.7. Ta có: Trương Văn Tám VI-5 Mạch Điện Tử
- 110. dạng liên kết của BJT và FET Thường ta chọn số hạng đầu lớn để VE2 ổn định, từ đó VCE1, IC1, IC2 cũng ổn định. Ðể thấy rõ sự ổn định này ta để ý: Dòng điện này độc lập đối với β2 và có thể xem như độc lập đối với β1 nếu ta chọn: thay đổi theo nhiệt độ và dòng IC2, nhưng ảnh hưởng này sẽ được giảm thiểu nếu ta chọn Về thông số của mạch khuếch đại cách tính cũng như mạch trước. Liên lạc trực tiếp dùng FET: Ở MOSFET loại tăng [E-MOSFET], do cực cổng cách điện hẳn với cực nguồn và cực thoát nên rất thuận tiện trong việc ghép trực tiếp. Cách tính phân cực giống như một tầng riêng lẻ. Trương Văn Tám VI-6 Mạch Điện Tử
- 111. dạng liên kết của BJT và FET VGS1 =VDS1 = VGS2 AvT = [gmRD]2 Tầng khuếch đại cực nguồn chung và thoát chung cũng thuận tiện trong cách ghép trực tiếp. Ðiện thế VGS của Q2 tùy thuộc vào RD, RS1 và RS2. Trong 2 cách ghép trên, FET chỉ hoạt động tốt khi 2 FET hoàn toàn giống hệt nhau. Thực tế, khi 2 FET không đồng nhất, sự trôi dạt điểm điều hành của tầng trước được tầng sau khuếch đại khiến cho tầng cuối cùng hoạt động trong vùng không thuận lợi. Ðể khắc phục người ta cũng dùng kỹ thuật hồi tiếp để ổn định phân cực như hình 6.10. Giả sử điện thế cực thoát của Q1 lớn hơn bình thường, lượng sai biệt này sẽ được khuếch đại bởi Q2 và Q3 và do đó điện thế tại cực cổng của Q1 lớn hơn. Ðiều này làm cho Q1 dẫn điện mạnh hơn, kéo điện thế ở cực thoát giảm xuống. Tuy nhiên, RG cũng tạo ra một vấn đề mới. Nếu gọi AvT là độ lợi của toàn mạch thì: v0 = -|AvT|.vi Nên điện thế ngang qua RG là: vi - v0 = vi + |AvT|vi = vi[ 1+ |AvT|] Trương Văn Tám VI-7 Mạch Điện Tử
- 112. dạng liên kết của BJT và FET Ðể khắc phục, người ta chia RG ra làm 2 nữa và dùng một tụ nối tắt tín hiệu xuống mass. 6.2 LIÊN KẾT CHỒNG: [cascode connection] Trong sự liên kết này, một transistor ghép chồng lên một transistor khác. Hình 6.12 mô tả mạch liên kết chồng với một tầng cực phát chung ghép chồng lên một tầng cực nền chung. Sự liên kết này phải được thiết kế sao cho tầng cực phát chung có tổng trở ra [tổng trở vào của tầng cực nền chung] khá lớn và độ lợi điện thế thấp cung cấp cho tầng cực nền chung để bảo đảm điện dung Miller ở ngỏ vào thấp nhất nên loại liên kết này hoạt động tốt ở tần số cao. Trong mạch trên, với cách phân tích phân cực như các chương trước ta tìm được: VB1 = 4.9v VB2 = 10.8v IC1 # IC2 = 3.8mA Trương Văn Tám VI-8 Mạch Điện Tử
- 113. dạng liên kết của BJT và FET 6.3 LIÊN KẾT DARLINGTON: Ðây là một dạng liên kết rất thông dụng giữa 2 transistor [BJT hoặc FET] như hình 6.13 và tương đương như hình 6.14. Sự liên kết giữa 2 transistor như vậy tương đương với một transistor duy nhất có độ lợi dòng điện là βD = β1. β2 Nếu hai transistor đồng nhất: β1 = β2 = β thì βD = β2 Transistor Darlington: Vì dạng liên kết này rất thông dụng và thích hợp cho việc nâng công suất nên ngày nay người ta thường chế tạo các liên kết này dưới dạng một transistor duy nhất gọi là transistor darlington. Trương Văn Tám VI-9 Mạch Điện Tử
- 114. dạng liên kết của BJT và FET chung nên cũng có tổng trở vào lớn, tổng trở ra nhỏ và độ lợi diện thế xấp xỉ 1. 6.4 LIÊN KẾT CẶP HỒI TIẾP: Liên kết này cũng gồm có 2 transistor và cũng có dạng gần giống như liên kết Darlington nhưng gồm có 1 transistor PNP và một transistor NPN. Cũng giống như liên kết Darlington, cặp hồi tiếp sẽ cho một độ lợi dòng điện rất lớn [bằng tích độ lợi dòng điện của 2 transistor]. Mạch thực tế có dạng như hình 6.17 - Tính phân cực: Trương Văn Tám VI-10 Mạch Điện Tử
- 115. dạng liên kết của BJT và FET Từ đó suy ra được IC1, IB2, IC2 - Thông số xoay chiều: Mạch tương đương xoay chiều Trương Văn Tám VI-11 Mạch Điện Tử
- 116. dạng liên kết của BJT và FET 6.5 MẠCH CMOS: Một dạng mạch rất thông dụng trong mạch số là dùng 2 E-MOSFET kênh N và kênh P liên kết với nhau như hình 6.19 được gọi là CMOS [complementaryMOSFET]. Trước khi đi vào khảo sát hoạt động của CMOS, ta cần nhớ lại hoạt động của E- MOSFET. Ðặc tuyến truyền của E-MOSFET kênh N và kênh P như hình 6.20 và 6.21. - Ở E-MOSFET kênh N, khi điện thế 0V áp vào cổng nguồn, E-MOSFET kênh N không hoạt động [ID = 0], Khi VGS >VGS[th] thì E-MOSFET kênh N mới hoạt động. - Ở E-MOSFET kênh P, Khi VGS = 0 thì E-MOSFET kênh P cũng ngưng và chỉ hoạt động khi VGS < VGS[th]. Phân tích mạch CMOS Ta xem mạch CMOS điều hành khi Vi = 0V hay khi Vi= +5V - Khi Vi = 0V được đưa vào cực cổng của CMOS . Với Q1 [NMOS] VGS = 0 Ω ⇒ Q1 ngưng . Với Q2 [PMOS] VGS = -5V ⇒ Q2 bảo hòa. Kết quả là V0 = 5V - Khi Vi = +5V đưa vào . Với Q1 [NMOS] VGS = 5V ⇒ Q1 bão hòa . Với Q2 [PMOS] VGS = 0V ⇒ Q2 ngưng Trương Văn Tám VI-12 Mạch Điện Tử
- 117. dạng liên kết của BJT và FET Kết quả là V0 = 0V 6.6 MẠCH NGUỒN DÒNG ÐIỆN: Nguồn dòng điện là một bộ phận cấp dòng điện mắc song song với điện trở R gọi là nội trở của nguồn. Một nguồn dòng điện lý tưởng khi R = ∞ [ và sẽ cung cấp một dòng điện là hằng số]. Một nguồn dòng điện trong thực tế có thể được tạo bởi FET, BJT hoặc tổ hợp của 2 loại linh kiện này. Mạch có thể sử dụng linh kiện rời hoặc IC. 6.6.1 Nguồn dòng điện dùng JFET: Dạng đơn giản như hình 6.24 6.6.2 Dùng BJT như một nguồn dòng điện: Mạch cơ bản như hình 6.25 Trương Văn Tám VI-13 Mạch Điện Tử
- 118. dạng liên kết của BJT và FET 6.6.3 Nguồn dòng điện dùng BJT và zener: 6.7 MẠCH KHUẾCH ÐẠI VISAI: [differential amplifier] 6.7.1 Dạng mạch căn bản: Một mạch khuếch đại visai căn bản ở trạng thái cân bằng có dạng như hình 6.27 - Có 2 phương pháp lấy tín hiệu ra: . Phương pháp ngõ ra visai: Tín hiệu được lấy ra giữa 2 cực thu. . Phương pháp ngõ ra đơn cực: Tín hiệu được lấy giữa một cực thu và mass. - Mạch được phân cực bằng 2 nguồn điện thế đối xứng [âm, dương] để có các điện thế ở cực nền bằng 0volt. Người ta phân biệt 3 trường hợp: a/ Khi tín hiệu vào v1 = v2 [cùng biên độ và cùng pha] Do mạch đối xứng, tín hiệu ở ngõ ra va = vb Như vậy: va = AC . v1 vb = AC . v2 Trong đó AC là độ khuếch đại của một transistor và được gọi là độ lợi cho tín hiệu chung [common mode gain]. Do v1 = v2 nên va = vb. Vậy tín hiệu ngõ ra visai va - vb =0. b/ Khi tín hiệu vào có dạng visai: Trương Văn Tám VI-14 Mạch Điện Tử
- 119. dạng liên kết của BJT và FET Lúc này v1 = -v2 [cùng biên độ nhưng ngược pha]. Luc đó: va = -vb. Do v1 = -v2 nên khi Q1 chạy mạnh thì Q2 chạy yếu và ngược lại nên va≠ vb. Người ta định nghĩa: va - vb = AVS[ v1 - v2 ] AVS được gọi là độ lợi cho tín hiệu visai [differential mode gain]. Như vậy ta thấy với ngõ ra visai, mạch chỉ khuếch đại tín hiệu vào visai [khác nhau ở hai ngõ vào] mà không khuếch đại tín hiệu vào chung [thành phần giống nhau]. c/ Trường hợp tín hiệu vào bất kỳ: Người ta định nghĩa: - Thành phần chung của v1 và v2 là: - Thành phần visai của v1 và v2 là: vVS = v1 - v2 Thành phần chung được khuếch đại bởi AC [ngỏ ra đơn cực] còn thành phần visai được khuếch đại bởi AVS. Thông thường |AVS| >>|AC|. 6.7.2 Mạch phân cực: Trương Văn Tám VI-15 Mạch Điện Tử
- 120. dạng liên kết của BJT và FET Phương trình này xác định điểm điều hành trên đường thẳng lấy điện. Khi mạch tuần hoàn đối xứng, điện thế 2 chân B bằng 0V nên: 6.7.3 Khảo sát thông số của mạch: Ta thử tìm AC, AVS, tổng trở vào chung ZC, tổng trở vào visai ZVS. a/ Mạch chỉ có tín hiệu chung: Tức v1 = v2 và va = vb Do mạch hoàn toàn đối xứng, ta chỉ cần khảo sát nữa mạch, nên chú ý vì có 2 dòng ie chạy qua nên phải tăng gấp đôi RE. Phân giải như các phần trước ta tìm được: b/ Mạch chỉ có tín hiệu visai: Tức v1 = -v2 và va = -vb Như vậy dòng điện tín hiệu luôn luôn ngược chiều trong 2 transistor và do đó không qua RE nên ta có thể bỏ RE khi tính AVS và ZVS. Trương Văn Tám VI-16 Mạch Điện Tử